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IRF5800中文资料

IRF5800图片

IRF5800外观图

  • 大小:98.43KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm)
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:85 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:535pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 包装:管件

IRF5800供应商

更新时间:2023-01-04 22:32:39
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